ગેલિયમ નાઇટ્રાઇડ શું છે?

ગેલિયમ નાઇટ્રાઇડ એ બાઈનરી III / V ડાયરેક્ટ બેન્ડગapપ સેમિકન્ડક્ટર છે જે ઉચ્ચ તાપમાને operatingપરેટ કરવા માટે સક્ષમ ઉચ્ચ-પાવર ટ્રાંઝિસ્ટર માટે સારી રીતે અનુકૂળ છે. 1990 ના દાયકાથી, તેનો ઉપયોગ લાઇટ ઇમિટિંગ ડાયોડ્સ (એલઇડી) માં સામાન્ય રીતે કરવામાં આવે છે. ગેલિયમ નાઇટ્રાઇડ બ્લુ-રેમાં ડિસ્ક-રીડિંગ માટે વપરાયેલી વાદળી પ્રકાશ આપે છે. આ ઉપરાંત, ગેલિયમ નાઇટ્રાઇડનો ઉપયોગ સેમિકન્ડક્ટર પાવર ડિવાઇસીસ, આરએફ ઘટકો, લેસરો અને ફોટોનિક્સમાં થાય છે. ભવિષ્યમાં, અમે સેન્સર ટેક્નોલ .જીમાં ગાએન જોશું.

2006 માં, વૃદ્ધિ-સ્થિતિ ગેએન ટ્રાન્ઝિસ્ટર, જેને કેટલીકવાર ગાએન એફ.ઇ.ટી.એસ. તરીકે ઓળખવામાં આવે છે, મેટલ ઓર્ગેનિક કેમિકલ વરાળ ડિપોઝિશન (એમ.ઓ.સી.વી.ડી.) નો ઉપયોગ કરીને માનક સિલિકોન વેફરના એ.આઈ.એન. લેયર પર ગાનના પાતળા સ્તરને વધારીને ઉત્પાદિત કરવાનું શરૂ કર્યું. એઆઈએન સ્તર સબસ્ટ્રેટ અને ગાએન વચ્ચે બફર તરીકે કામ કરે છે.
આ નવી પ્રક્રિયાએ ગેલિયમ નાઇટ્રાઇડ ટ્રાંઝિસ્ટરને લગભગ સમાન ઉત્પાદન પ્રક્રિયાઓનો ઉપયોગ કરીને, સિલિકોન જેવા સમાન કારખાનાઓમાં ઉત્પાદક બનવા સક્ષમ બનાવ્યું. કોઈ જાણીતી પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ કરીને, આ સમાન, ઓછા ઉત્પાદન ખર્ચની મંજૂરી આપે છે અને વધુ સુધારેલા પ્રદર્શન સાથે નાના ટ્રાંઝિસ્ટર માટે દત્તક લેવામાં અવરોધ ઘટાડે છે.

વધુ સમજાવવા માટે, બધી સેમિકન્ડક્ટર સામગ્રીમાં બ whatન્ડગgપ કહેવાય છે. આ એક સોલિડમાં energyર્જા રેન્જ છે જ્યાં કોઈ ઇલેક્ટ્રોન અસ્તિત્વમાં નથી. સરળ શબ્દોમાં કહીએ તો, બેન્ડગેપ એ સંબંધિત છે કે નક્કર સામગ્રી વીજળી કેવી રીતે ચલાવી શકે છે. સિલિકોનના 1.12 ઇવી બેન્ડગapપની તુલનામાં ગેલિયમ નાઇટ્રાઇડ પાસે 3.4 ઇવી બેન્ડગapપ છે. ગેલિયમ નાઇટ્રાઇડની વિશાળ બેન્ડ ગેપનો અર્થ એ છે કે તે સિલિકોન એમઓએસએફઇટીએસ કરતા વધારે વોલ્ટેજ અને higherંચા તાપમાનને ટકાવી શકે છે. આ વિશાળ બેન્ડગેપ opપ્ટોઇલેક્ટ્રોનિક ઉચ્ચ-શક્તિ અને ઉચ્ચ-આવર્તન ઉપકરણો પર લાગુ થવા માટે ગેલિયમ નાઇટ્રાઇડને સક્ષમ કરે છે.

ગેલિયમ આર્સેનાઇડ (ગાએએસ) ટ્રાંઝિસ્ટર કરતા ઘણાં વધુ તાપમાને અને વોલ્ટેજ પર કાર્ય કરવાની ક્ષમતા પણ ગ gલિયમ નાઇટ્રાઇડ આદર્શ પાવર એમ્પ્લીફાયર્સને માઇક્રોવેવ અને ટેરાહર્ટ્ઝ (થેઝેડ) ઉપકરણો બનાવે છે, જેમ કે ઇમેજિંગ અને સેન્સિંગ, ઉપર જણાવેલ ભાવિ બજાર. ગાએન ટેકનોલોજી અહીં છે અને તે બધું વધુ સારું બનાવવાનું વચન આપે છે.

 


પોસ્ટ સમય: Octક્ટો-14-2020